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  • 旨在為16-25歲青少年提供個(gè)人提升及留學(xué)背景提升服務(wù)的學(xué)術(shù)科研機(jī)構(gòu)
  • 集思學(xué)院是一家被NACAC(美國(guó)大學(xué)錄取升學(xué)指導(dǎo)協(xié)會(huì))認(rèn)可的機(jī)構(gòu)
  • 針對(duì)名校申請(qǐng)標(biāo)準(zhǔn)研發(fā),全學(xué)科覆蓋。

400-688-0112

上海芯片設(shè)計(jì)核心研究培訓(xùn)

上海芯片設(shè)計(jì)核心研究培訓(xùn)

授課機(jī)構(gòu): 上海集思學(xué)院

上課地點(diǎn): 靜安校區(qū)

成交/評(píng)價(jià):

聯(lián)系電話: 400-688-0112

上海芯片設(shè)計(jì)核心研究培訓(xùn)課程詳情

芯片設(shè)計(jì)核心技術(shù)深度研修

集成電路實(shí)驗(yàn)室實(shí)景

教學(xué)體系架構(gòu)

課程構(gòu)建三維知識(shí)體系:基礎(chǔ)理論層涵蓋半導(dǎo)體物理特性與器件原理;設(shè)計(jì)應(yīng)用層著重邏輯電路構(gòu)建與功耗優(yōu)化;實(shí)踐研究層聚焦集成電路前沿課題。教學(xué)團(tuán)隊(duì)來(lái)自全球芯片實(shí)驗(yàn)室,平均行業(yè)經(jīng)驗(yàn)超過(guò)15年。

教學(xué)模塊 核心內(nèi)容 課時(shí)分配
半導(dǎo)體基礎(chǔ) 材料特性分析/PN結(jié)原理 30課時(shí)
器件工程 MOSFET建模/短溝道效應(yīng) 45課時(shí)
系統(tǒng)集成 SoC架構(gòu)設(shè)計(jì)/DFM技術(shù) 50課時(shí)

能力培養(yǎng)目標(biāo)

芯片設(shè)計(jì)流程演示
  • 掌握CMOS工藝流程的18個(gè)關(guān)鍵參數(shù)調(diào)控
  • 具備RTL級(jí)到GDSII的完整設(shè)計(jì)能力
  • 熟練運(yùn)用Cadence、Synopsys等EDA工具
  • 完成IEEE標(biāo)準(zhǔn)格式的學(xué)術(shù)論文寫(xiě)作

科研支持體系

? 每周固定2小時(shí)導(dǎo)師答疑
? 實(shí)驗(yàn)室云端訪問(wèn)權(quán)限
? 行業(yè)數(shù)據(jù)庫(kù)免費(fèi)使用

? 論文預(yù)審三次修改機(jī)會(huì)
? 國(guó)際會(huì)議投稿指導(dǎo)
? 專利申請(qǐng)流程協(xié)助

學(xué)術(shù)成果轉(zhuǎn)化

  1. 研究階段:確定選題方向,完成文獻(xiàn)綜述(第1-2周)
  2. 實(shí)驗(yàn)階段:搭建仿真環(huán)境,采集測(cè)試數(shù)據(jù)(第3-5周)
  3. 撰寫(xiě)階段:結(jié)構(gòu)化論文框架,完成圖表制作(第6-7周)
  4. 發(fā)表階段:選擇合適期刊,應(yīng)對(duì)審稿意見(jiàn)(第8-12周)